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WT5105集成非隔离式电源控制器，高雪崩能力功率MOSFET,内部集成650 VMOSFET,用于外围元
器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，实现 3.3V以上多
电压输出功能或固定12V功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高
压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保
护功能，包括过载保护（OLP)，过温保护（OTP),欠压保护（UVLO),FB短路保护，FB开路保护，
输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
特点：
?内置650V高雪崩能力功率MOSFET
?内置高压启动和自供电电路
?多模式输出（输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)
?输出功率可编程
?改善EMI的频率抖动技术
?优异的负载调整率和工作效率
?全面的保护功能：
?过载保护（OLP),过温保护（OTP),欠压保护（UVLO),FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，
?磁饱和保护等
应用：
?非隔离辅助电源
?电机驱动
?智能家居
?工业控制辅助电源
?小家电
器件精简的小功率非隔离开关电源。多模式输出：输出电压可通过FB电阻调整，实现 3.3V以上多
电压输出功能或固定12V功能。可通过CS引脚外接采样电阻实现可编程输出电流控制。芯片内置高
压启动与自供电模块，实现系统快速启动、超低待机、自供电功能。该芯片提供了完整的智能化保
护功能，包括过载保护（OLP)，过温保护（OTP),欠压保护（UVLO),FB短路保护，FB开路保护，
输出短路保护，磁饱和保护等。另外芯片的降频调制和频率抖动技术有助于改善EMI特性。
特点：
?内置650V高雪崩能力功率MOSFET
?内置高压启动和自供电电路
?多模式输出（输出电压大于3.3V,可通过FB电阻调整或固定输出12V)
?输出功率可编程
?改善EMI的频率抖动技术
?优异的负载调整率和工作效率
?全面的保护功能：
?过载保护（OLP),过温保护（OTP),欠压保护（UVLO),FB短路保护，CS悬空保护，输出过压保护，
?磁饱和保护等
应用：
?非隔离辅助电源
?电机驱动
?智能家居
?工业控制辅助电源
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